STMicroelectronics STP20N95K5
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP21N90K5
N-channel 900 V, 0.25 Ohm typ., 18.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP15N80K5
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP20N95K5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Ciiva
STP20N95K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 17.5 A, 950 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 950V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 950V, 17.5A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:950V; Continuous Drain Current Id:17.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP20N95K5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance330 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Rds On Max330 mΩ
Resistance330 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant