STMicroelectronics STP150NF55
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | STP150NF55 | 179 | 600 | Tray | 4h | |||||||
| Win Source | WS-STP150NF55 | 5 539 | 24 | 12h | ||||||||
| Worldway Electronics | STP150NF55 | 10 493 | 7 | Tube | 11h | |||||||
| Esaler Electronic | STP150NF55 | 1 000 | 12h | |||||||||
| Aztech | STP150NF55 | 4 821 | 8h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP100NF04
N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP110N55F6
N-channel 55 V, 4.5 mOhm typ., 110 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP150NF55 fournies par ses distributeurs.
N-CHANNEL 55V - 0.005 OHM -120A TO-220 STripFET II MOSFET
Trans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Lv Mosfet Planar & Old |Stmicroelectronics STP150NF55
Automotive Power Discrete, 55V, 150A, TO-220AB, Tube
STMicroelectronics SCT
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max6 mΩ
Resistance6 MΩ
Rise Time180 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time140 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant