STMicroelectronics STP100NF04
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-03-03
LTD Date2020-09-03
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP100NF04 fournies par ses distributeurs.
N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STP100NF04 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 40 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Current Rating120 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance4.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max4.6 mΩ
Resistance4.6 MΩ
Rise Time220 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant