STMicroelectronics STP13N95K3
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP12NK80Z
N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP10NK70Z
N-CHANNEL 700 V - 0.75 OHM - 8.6 A TO-220 ZENER-PROTECTED SuperMESH POWER MOSFET
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP13N95K3 fournies par ses distributeurs.
N-channel 950 V, 0.68 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220
Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
190W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 51nC@ 10 V 1N 950V 850m¦¸@ 5A,10V 10A 1.62nF@100V TO-220
950 V, 10 A N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 950V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 950V, 10A, TO 220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 950V; On Resistance Rds(on): 0.68ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.62 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max850 mΩ
Resistance850 mΩ
Rise Time16 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant