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STMicroelectronics STP12NK30Z

N-channel 300V 0.36 Ohm 9A TO-220 Zener-protected Super-mesh Power Mosfet
$ 1.095
Production
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Arrow Electronics
STP12NK30Z
1 890
1
USD
1,042
1,042
1,026
0,994
0,994
Verical
STP12NK30Z
1 884
12
USD
1,033
1,001
1,001
Future Electronics
2
STP12NK30Z
500
20
Tube
USD
1,360
1,320
1,290
TME
2
STP12NK30Z
143
1
USD
3,000
1,520
1,290
1,080
0,930
3h
Newark
STP12NK30Z
0
1
USD
2,770
1,370
1,290
1,110
0,938

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STP12NK30Z.

Factory Futures

Datasheet8 pagesIl y a 23 ans

Future Electronics

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Pièces détachées

onsemiFQP9N25C
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
Détails
onsemiIRF634B-FP001
Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Détails
onsemiFQP5N30
Trans MOSFET N-CH 300V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Détails
onsemiFQP3N30
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,300V V(BR)DSS,3.2A I(D),TO-220
Détails
onsemiSFP9634
70W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 37nC@ 10V 1P 250V 1.3¦¸@ 2.5A,10V 975pF@25V TO-220-3
Détails
onsemiFQP4N25
52W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 5.6nC@ 10V 1N 250V 1.75¦¸@ 1.8A,10V 200pF@25V TO-220-3
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STP12NK30Z fournies par ses distributeurs.

N-CHANNEL 300V 0.36 OHM 9A TO-220 ZENER-PROTECTED SUPER-MESH POWER MOSFET
STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Verical
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Through Hole
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 300V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9A; Drain Source Voltage Vds: 300V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Farnell
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:9A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:300V; Resistencia De Activación Rds(On):400Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP12NK30Z
Newark

Images

element14 APAC
Farnell
TME
Lanka Micro
LZChips

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics