Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | FQP9N25C | 424 | 3500 | Tray | 21h | |||||||
| Win Source | WS-FQP9N25C | 33 000 | 180 | 6h | ||||||||
| Worldway Electronics | FQP9N25C | 27 799 | 7 | Tube | 5h | |||||||
| Anlinkda | FQP9N25C | 46 951 | 13h | |||||||||
| RC Electronics | FQP9N25C | 42 180 | 1 | >1wk |
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQP9N25C.
Descriptions
Descriptions de onsemi FQP9N25C fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
74W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 35nC@ 10V 1N 250V 430m¦¸@ 4.4A,10V 8.8A 710pF@25V TO-220-3 10.67mm*4.7mm*16.3mm
Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 250V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs 250V N-Channel Advance Q-FET
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.8 A
Current Rating8.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance430 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance710 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation74 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation74 W
Rds On Max430 mΩ
Rise Time85 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQP9N25C.