STMicroelectronics STP10LN80K5
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF10LN80K5
N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
InfineonIPAW60R600CEXKSA1
Compliant Through Hole No SVHC 600 mΩ TO-220-3 3 Production (Last Updated: 2 years ago) 450
STMicroelectronicsSTF12N60M2
N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP12N60M2
N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPA60R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP N-Channel 600 V 9.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
InfineonIPA60R450E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP10LN80K5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Power MOSFET, N-ch, MDmesh K5, 800V, 8A, 3-pin (3+tab) TO-220, Tube
800V 8A 630m´Î@10V4A 110W 5V@100Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance630 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)800 V
Input Capacitance427 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max630 mΩ
Schedule B8541290080
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