STMicroelectronics STP12N60M2
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-05-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTF12N60M2
N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIPA60R400CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 400 mOhm 32 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPA60R460CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP12N60M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
N-Channel 600 V 450 mOhm Flange Mount MDmesh M2 Power Mosfet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
85W(Tc) 25V 4V@ 250µA 16nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 450mΩ@ 4.5A,10V 9A 538pF@100V TO-220 Through hole mounting 10.4mm(Length)
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance538 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max450 mΩ
Schedule B8541290080
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