onsemi FQI5N50CTU
$ 0.728
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FQI5N50CTU | 9 767 | 385 | |||||||||
| Rochester Electronics | FQI5N50CTU | 10 517 | 19h | |||||||||
| Microchip USA | FQI5N50CTU | 233 | 600 | Tube | 12h | |||||||
| Worldway Electronics | FQI5N50CTU | 18 436 | 7 | Tube | 19h | |||||||
| QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD | FQI5N50CTU | Contact | >1wk |
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB6NK60Z-1
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - I2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTFI6N62K3
N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
onsemiFQI6N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de onsemi FQI5N50CTU fournies par ses distributeurs.
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
MOSFETs N-CH/500V/5A/A.QFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance625 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation73 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation73 W
Rds On Max1.4 Ω
Rise Time46 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Voltage Rating (DC)500 V
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité