STMicroelectronics STI18N65M2
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Pièces détachées
InfineonSPI15N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3 N-Channel 650 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
STMicroelectronicsSTFI15N65M5
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
InfineonIPI60R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3 N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
STMicroelectronicsSTI14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STI18N65M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STI18N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 650 V, 3-PIN I2PAK
110W(Tc) 25V 4V@ 250µA 20nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 330mΩ@ 6A,10V 12A 770pF@100V I2PAK Through hole mounting 10mm*4.4mm*8.95mm
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance330 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance770 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Elements1
Rds On Max330 mΩ
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height9.35 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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