STMicroelectronics STI12N65M5
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STI12N65M5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.39 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
8.5 A 650 V 0.43 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-262AA
Mosfet, N Ch, 650V, 8.5A, I2pak
Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 650V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET, N CH, 650V, 8.5A, I2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.5A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.39ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:70W; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance430 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance900 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max430 mΩ
Rise Time17.6 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time15.6 ns
Turn-On Delay Time22.6 ns
Dimensions
Height9.35 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant