STMicroelectronics STGWT20IH125DF
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Pièces détachées
onsemiFGA20S125P-SN00336
IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN / Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
InfineonIRGP20B120U-EP
IRGP20B120U Series 1200 V 40 A Insulated Gate Bipolar Transistor - TO247AD
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STGWT20IH125DF fournies par ses distributeurs.
1250 V, 20 A IH series trench gate field-stop IGBT
IGBT Transistors 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 3-Pin TO-3P Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1250V V(BR)CES, N-Channel
Igbt |Stmicroelectronics STGWT20IH125DF
IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-3P
259W 2.55V 2.5V@ 15V,15A 40A TO-3P 18.7mm
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.756003 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.25 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.25 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.25 kV
Element ConfigurationSingle
Forward Current20 A
Forward Voltage1.1 V
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation259 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
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