STMicroelectronics STGW80H65FB

IGBT 650V 120A 469W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
$ 3.101
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STMicroelectronics

Datasheet18 pagesIl y a 13 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTGWA80H65FB
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
LittelfuseIXXH40N65B4
Trench Series - 650V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, TO-247, RoHS
STMicroelectronicsSTGW40H65FB
IGBT 650V 80A 283W TO247 / IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 283 W Through Hole TO-247-3
STMicroelectronicsSTGW60H65FB
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
NGTB Series 650 V 60 A Flange Mount Trench Field Stop IGBT - TO-247

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STGW80H65FB fournies par ses distributeurs.

IGBT 650V 120A 469W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Igbt |Stmicroelectronics STGW80H65FB
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
TO247 IGBT 80A 650V TRENCH GAT

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics