STMicroelectronics STGW50H65DFB2-4

STGW50 Series 650 V 50 A Through Hole High Speed IGBT - TO-247-4
$ 2.213
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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-08-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STGW50H65DFB2-4 fournies par ses distributeurs.

STGW50 Series 650 V 50 A Through Hole High Speed IGBT - TO-247-4
Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 86A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4
TO247-4 IGBT 50A 650V HB2 SERI
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
IGBT, SINGLE, 650V, 86A, TO-247; Continuous Collector Current:86A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:272W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics