STMicroelectronics STGD5NB120SZT4

STGD5NB120SZ Series 1200 V 10 A Low Drop Internally Clamped IGBT - TO-252-3
$ 0.901
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsSTGD5NB120SZT45 0002500
TME
2
STGD5NB120SZT42 4331
1d
Future ElectronicsSTGD5NB120SZT402500Tape & Reel
AvnetSTGD5NB120SZT402500
14h
RS (Formerly Allied Electronics)STGD5NB120SZT405Bulk
4h

Fiches techniques et documents

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IHS

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Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

onsemiHGTD1N120BNS9A
HGTD1N120BNS9A Series N-Channel 1200 V 5.3 A Surface Mount IGBT - TO-252AA
Détails
onsemiISL9V2040D3ST
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Détails
onsemiNGTB03N60R2DT4G
ON SEMICONDUCTOR NGTB03N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
Détails
STMicroelectronicsSTGD10NC60KDT4
Igbt Single Transistor, 20 A, 2 V, 60 W, 600 V, To-252, 3 |Stmicroelectronics STGD10NC60KDT4
Détails
STMicroelectronicsSTGD3HF60HDT4
STGD3HF60HD Series 600 V 4.5 A, Very Fast IGBT with Ultrafast Diode - TO-252
Détails
STMicroelectronicsSTGD6NC60HDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 fournies par ses distributeurs.

STGD5NB120SZ Series 1200 V 10 A Low Drop Internally Clamped IGBT - TO-252-3
Future Electronics
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
Semicontronic
IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch 1200 Volt 5 Amp
Mouser
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
STGD5NB120SZT4, IGBT TRANSISTOR, 10 A 1200 V, 3-PIN DPAK
RS (Formerly Allied Electronics)
Trench gate field-stop IGBT, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
IGBT 5A 1200V Internally Clamped DPAK
RS APAC
IGBT, 1.3V, 10A, TO-252-3; DC Collector Current: 10A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.2kV; Power Dissipation Pd: 75W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Operating Temperature Min: -55°C; Transistor Type: IGBT
Farnell
IC RS232 3V5.5V 15KVESD 16-SSOP
Utmel Electronic
Ptd High Voltage Rohs Compliant: Yes
Newark
STMICROELECTRONICS STGD5NB120SZT4 IGBTS
Avnet

Images

Newark
DKO Electronshik
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Future Electronics
Lanka Micro

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • STGD5NB120SZT4.