STMicroelectronics STGB10NC60HDT4
$ 1.13
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-6184-1-ND | 10 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STGB10NC60HDT4 | 6 | 1 | |||||||||
| TME | STGB10NC60HDT4 | 609 | 1 | 14h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STGB10NC60HDT4 | 0 | 5 | Bulk | 5h | |||||||
| Future Electronics | STGB10NC60HDT4 | 0 | 1K | Tape & Reel |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-11-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 fournies par ses distributeurs.
STGB10NC60HD Series 600 V 20 A Surface Mount Very fast IGBT - D2PAK-3
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Short-circuit rugged IGBT, D2PAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
STGB10NC60HDT4,IGBT N-ch 600V 10A D2PAK
IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N Ch 10A 600V
Igbt |Stmicroelectronics STGB10NC60HDT4
IGBT, N 600V 10A D²PAK; DC Collector Current: 10A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.5V; Power Dissipation Pd: 65W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Ope
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current10 A
Forward Voltage2 V
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation65 W
Reverse Recovery Time22 ns
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant