STMicroelectronics STF23NM60ND
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-01-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-04-25
LTD Date2019-10-25
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF25NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTF28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF21NM60ND
N-Channel 600 V 220 mOhm Flange Mount FDmesh II Power Mosfet - TO-220FP
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF23NM60ND fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.150 Ohm, 19.5 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) TO-220FP
MOSFET Transistor, N Channel, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
STMICROELECTRONICS STF23NM60ND Power MOSFET, N Channel, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 19.5A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 19.5A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 19.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V;
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.05 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max180 mΩ
Rise Time45 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant