STMicroelectronics STF10N80K5
$ 1.481
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-15113-5-ND | 674 | 1 | Tube | ||||||||
| Newark | STF10N80K5 | 0 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | STF10N80K5 | 0 | 15 | Tube | ||||||||
| Avnet | STF10N80K5 | 0 | 1K | 22h | ||||||||
| Arrow Electronics | STF10N80K5 | 0 | 1K |
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF10NM60N
N-channel 600 V, 0.53 Ohm typ., 10 A, MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF13N65M2
N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP11NM60FDFP
N-Channel 600V - 0.4Ohm - 11A FDmesh(TM) POWER MOSFET (with FAST DIODE)
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STF10N80K5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
N-Channel 800 V 600 mOhm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Mosfet, N-Ch, 800V, 9A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:9A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF10N80K5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance470 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance635 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max600 mΩ
Resistance470 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
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