STMicroelectronics STE48NM50
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMorocco
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB57N65M5
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
onsemiFCB070N65S3
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 70 mΩ, D2PAK
STMicroelectronicsSTB45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STE48NM50 fournies par ses distributeurs.
N-CHANNEL 500V - 0.08ohm - 48A ISOTOP MDmesh™Power MOSFET | MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 550 V, 0.08 ohm, 30 V, 4 V
Power MOSFET Transistors N-Ch 500 Volt 48 Amp
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4-Pin ISOTOP Tube
MOSFET N-Channel 500V 48A ISOTOP4
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STE48NM50
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
450W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 117nC@ 10V 1N 550V 100m¦¸@ 24A,10V 48A 3.7nF@25V ISOTOP-4 , 38.2mm*25.5mm*9.1mm
MOSFET, N CH, 550V, 48A, ISOTOP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:550V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:30V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:450W; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:ISOTOP; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:48A; Package / Case:ISOTOP; Power Dissipation Pd:450W; Termination Type:Screw; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
MountChassis Mount, Screw, Surface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)48 A
Current Rating48 A
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)550 V
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation450 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation450 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time35 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Voltage Rating (DC)550 V
Dimensions
Height12.2 mm
Length38.2 mm
Width25.5 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant