STMicroelectronics STD11NM50N
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD10NM60N
N-channel 600 V, 0.53 Ohm typ., 10 A, MDmesh II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD10NM50N
STMICROELECTRONICS STD10NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
STMicroelectronicsSTD13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
VishaySIHD7N60E-GE3
VISHAY SIHD7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STD11NM50N fournies par ses distributeurs.
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.47ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 500V, 9A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8.5A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Di
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance470 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance547 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max470 mΩ
Resistance470 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant