STMicroelectronics STB32N65M5
$ 5.862
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-10564-1-ND | 770 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STB32N65M5 | 0 | 1 | 10h | ||||||||
| Newark | STB32N65M5 | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | STB32N65M5 | 0 | 1K | 14h | ||||||||
| Future Electronics | STB32N65M5 | 0 | 1K | Tape & Reel |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB35N65M5
N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB34NM60ND
N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) D2PAK
STMicroelectronicsSTB21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm typ., 17 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB32N65M5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.095 Ohm, 24 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
N-Channel 650 V 24 A 119 mOhm 150 W Surface Mount MDmesh Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STB32N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 24 A, 650 V, 2+TAB-PIN TO-263
N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
650 V, 0.095 OHM, 24 A, D2PAK N-CHANNEL MDMESH V POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Mosfet, N Ch, 650V, 24A, D2Pak; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.095Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB32N65M5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance119 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.32 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max119 mΩ
Resistance119 MΩ
Rise Time12 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time53 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant