STMicroelectronics STB24NM65N
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2018-06-29
LTD Date2018-12-29
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB30N65M5
N-channel 650 V, 0.125 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB31N65M5
N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
VishaySIHB24N65E-GE3
E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
VishaySIHB22N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB24NM65N fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
N-channel 650 V - 0.16 Y - 19 A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 650V, 19A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 19A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation160 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time25 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant