STMicroelectronics STB12NM60N
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Fiches techniques et documents
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB15N65M5
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB12NM50ND
N-channel 500 V, 0.29 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK package
VishayIRFS11N50APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB12NM60N fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET Transistors N Ch 30V 0.005 Ohm 80A Pwr MOSFET
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.41ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance410 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance960 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation90 W
Rds On Max410 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant