Vishay IRFS11N50APBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-10-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB11NK50ZT4
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTB14NK50ZT4
STB14NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 500 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB11NM60T4
STB11NM60T4 N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 650 V, 3-Pin D2PAK
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFS11N50APBF fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, 500V, 11A, D2-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.52ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Di
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Resistance520 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.423 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation170 W
Rds On Max520 mΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité