STMicroelectronics SCTW90N65G2V

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
$ 19.229
EOL
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DistributorSKUMinPkg
AvnetSCTW90N65G2V390600
6h
NewarkSCTW90N65G2V2691
VericalSCTW90N65G2V9801
Arrow ElectronicsSCTW90N65G2V9801
DigiKey497-18351-ND5701Tube

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TME

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-06-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics SCTW90N65G2V fournies par ses distributeurs.

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
Ciiva
HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Digi-ic_SMART PIONEER
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
Avnet
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 119A, TO-247-3; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:119A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. of Pins:3Pins; Rds(on) Test Voltage:18V; Power Dissipation:565W RoHS Compliant: Yes
Newark

Images

TME
Newark
Lanka Micro
RS
Future Electronics

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics