STMicroelectronics SCT012H90G3AG

Name: STMicroelectronics SCT012H90G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT012H90G3AG

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 m typ., 110 A in an HPAK-7 package

$ 13.4

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SCT012H90G3AG	47	1	Cut Tape	21,190	16,740	14,760	14,760	14,760
DigiKey	3	497-SCT012H90G3AGCT-ND	697	1	Cut Tape	22,010	15,786	14,333	14,333	14,333
TME	2	SCT012H90G3AG	0	1		52,750	52,750	52,750	52,750	52,750	3h
Avnet		SCT012H90G3AG	0	1K					11,858	11,355	1d
Arrow Electronics		SCT012H90G3AG	0	1K					15,667	15,184

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginItaly

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2022-09-29

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics SCT012H90G3AG fournies par ses distributeurs.

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 m typ., 110 A in an HPAK-7 package

EBV Elektronik

SIC MOSFET, N-CHANNEL, 900V, 110A, H2PAK;

element14 APAC

Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 900V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

SIC MOSFET, N-CH, 900V, 110A, H2PAK-7; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:900V; No. of Pins:7Pins; Rds(on) Test Voltage:18V; Power Dissipation:625W RoHS Compliant: Yes

Newark

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :