STMicroelectronics PD55008-E

RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
$ 11.314
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkPD55008-E31
DigiKey497-5299-5-ND1091Tube
TME
2
PD55008-E01
22h
Future ElectronicsPD55008-E050Tray
AvnetPD55008-E0400
5d

Fiches techniques et documents

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Factory Futures

Datasheet25 pagesIl y a 15 ans

Future Electronics

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
STMicroelectronicsPD55008-E
STMicroelectronicsPD55008TR-E
Price @ 1000
$ 11.314
$ 10.018
Stock
103,523
147,613
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
4 A
4 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
52.8 W
52.8 W
Input Capacitance
58 pF
-

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

onsemiFDS4897AC
MOSFET Transistor, N and P Channel, 6.1 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V
Détails
onsemiFDS4897C
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
Détails
Diodes Inc.DMC4029SSDQ-13
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 40V, 7A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMC4029SSDQ-13
Détails
Diodes Inc.DMC4047LSD-13
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET, N+P, 40V VDS, 20±V VGS
Détails
Diodes Inc.DMC4029SSD-13
Dual N/P-Channel 40 V 34/55 mOhm 8.8/10.6 nC 1.8 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8
Détails
onsemiFDS4895C
TRANS MOSFET N/P-CH 40V 5.5A/4.4A 8SOIC
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics PD55008-E fournies par ses distributeurs.

RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
STMicroelectronics SCT
PD55008-E Series 500 MHz 8 W 40 V N-Channel RF Power Transistor - POWERSO-10RF
Future Electronics
8W 12.5V 500MHz LDMOS in PowerSO-10RF plastic package
STMicroelectronics
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
Rf Fet, 40V, 4A, Powerso-10Rf; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:4A; Power Dissipation Pd:52.8W; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:-; Rf Transistor Case:Powerso-10Rf; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics PD55008-E
Newark

Images

element14 APAC
Augswan
element14
Lanka Micro
Future Electronics
UTSource

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • PD55008-E.
  • PD55008E