STMicroelectronics PD55003-E

PD55003-E Series 500 MHz 3 W N-Channel RF Power Transistor - POWERSO-10RF
$ 6.598
Production
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

Voir tous les prix
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
TME
2
PD55003-E
0
1
USD
10,350
10,350
9,250
9,250
9,250
7h
Mouser
511-PD55003-E
5 095
1
Tube
USD
11,350
7,900
7,600
7,600
7,600
Avnet
PD55003-E
0
400
USD
6,280
6,125
2d
Future Electronics
PD55003-E
0
50
Tube
USD
6,310
6,210
6,210
Arrow Electronics
PD55003-E
0
400
USD
6,201
6,201

Fiches techniques et documents

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element14 APAC

Datasheet29 pagesIl y a 21 ans

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
STMicroelectronicsPD55003-E
STMicroelectronicsPD55003TR-E
Price @ 1000
$ 6.598
$ 5.197
Stock
272,201
225,499
Authorized Distributors
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vds)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
2.5 A
2.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
31.7 W
31.7 W
Input Capacitance
-
-

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsPD55003TR-E
3W 12.5V 500MHz LDMOS in PowerSO-10RF plastic package
Détails
VishaySI2318DS-T1-E3
N-CHANNEL 40 V 0.045 Ohm 0.75 W Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3
Détails
VishaySI2318DS-T1-GE3
Si2318DS Series 40 V 3.9 A 45 mOhm SMT N-Channel MOSFET - SOT-23-3
Détails
NXP SemiconductorsMRF1513NT1
Lateral N-Channel Broadband Rf Power Mosfet, 520 Mhz, 3 W, 12.5 V
Détails
InfineonIRLML2030TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Détails
InfineonIRF7309TRPBF
Dual N/P-Channel 30 V 0.08/0.16 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics PD55003-E fournies par ses distributeurs.

PD55003-E Series 500 MHz 3 W N-Channel RF Power Transistor - POWERSO-10RF
Future Electronics
3W 12.5V 500MHz LDMOS in PowerSO-10RF plastic package
STMicroelectronics
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
MOSFET, RF, N-CH, 40V, 2.5A, POWERSO; Drain Source Voltage Vds: 40V; Continuous Drain Current Id: 2.5A; Power Dissipation Pd: 31.7W; Operating Frequency Min: -; Operating Frequency Max: 1GHz; RF Transistor Case: PowerSO-10RF;
Farnell

Images

UTSource
Augswan
TME
Lanka Micro
Future Electronics
Farnell
DKO Electronshik

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • PD55003E