STMicroelectronics IRF640S
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Aucune donnée disponible
Modèles CAO
0 models available
Pièces de rechange
1 composant disponible
Fiches techniques et documents
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 1.303
$ 1.303
Stock
140
186,998
186,998
Authorized Distributors
0
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
18 A
18 A
18 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
-
180 mΩ
180 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
125 W
3.1 W
3.1 W
Input Capacitance
-
1.3 nF
1.3 nF
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics IRF640S fournies par ses distributeurs.
18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs N-Ch 200 Volt 18 Amp
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rise Time27 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant