STARPOWER GD450HFY120C6S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 698A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STARPOWER GD450HFY120C6S.

IHS

Datasheet10 pagesIl y a 3 ans

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-14.29%

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Descriptions

Descriptions de STARPOWER GD450HFY120C6S fournies par ses distributeurs.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 698A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Starpower GD450HFY120C6S IGBTモジュール
IGBT MOD, 1.2KV, 680A, 150DEG C, 2.173KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 680A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 2.173kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: Module; No. of Pins: 11Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Igbt Mod, 1.2Kv, 680A, 150Deg C, 2.173Kw; Continuous Collector Current:680A; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:2.173Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD450HFY120C6S

Alias du fabricant

STARPOWER possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STARPOWER peut également être connu sous les noms suivants :

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG