STARPOWER GD30PJX65L2S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
$ 32.79
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STARPOWER GD30PJX65L2S.

IHS

Datasheet13 pagesIl y a 7 ans

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-14.29%

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Descriptions

Descriptions de STARPOWER GD30PJX65L2S fournies par ses distributeurs.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Starpower GD30PJX65L2S IGBTモジュール
晶体管, IGBT 模块, 650V, 55A, 163W;
IGBT, PIM, 650V, 55A, MODULE; Continuous Collector Current:55A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.45V; Power Dissipation:163W; Operating Temperature Max:150°C; IGBT Termination:Solder; Collector Emitter Voltage Max:650V RoHS Compliant: Yes

Alias du fabricant

STARPOWER possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STARPOWER peut également être connu sous les noms suivants :

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG