STARPOWER GD200HFY120C2S

Name: STARPOWER GD200HFY120C2S
Brand: STARPOWER
SKU: GD200HFY120C2S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 309A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

$ 97.55

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Distributor	SKU		Min
Newark	GD200HFY120C2S	3	1	108,65	104,23	101,99	97,550	97,550
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element14 APAC	GD200HFY120C2S	0	1	109,12*	92,692*	88,298*	88,298*	88,298*	11h
IC Components Ltd.	GD200HFY120C2S	28 400		56,510	56,510	56,510	56,510	56,510	23h
YIC International	GD200HFY120C2S	28 300		56,280	56,280	56,280	56,280	56,280	4h

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IHS

Datasheet9 pagesIl y a 9 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Descriptions

Descriptions de STARPOWER GD200HFY120C2S fournies par ses distributeurs.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 309A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

IHS

Starpower GD200HFY120C2S IGBTモジュール

RS APAC

IGBT MOD, 1.2KV, 309A, 150DEG C, 1.006KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 309A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 1.006kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1

Farnell

Igbt Mod, 1.2Kv, 309A, 150Deg C, 1.006Kw; Continuous Collector Current:309A; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:1.006Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD200HFY120C2S

Newark

Alias du fabricant

STARPOWER possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STARPOWER peut également être connu sous les noms suivants :