Sangdest Microelectronics S3M0016120B

Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 1200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide...
$ 9.598
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

DistributorSKUMinPkg
TMES3M0016120B-SMC101
3h
AERIS3M0016120B5 949
19h

Fiches techniques et documents

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TME

Datasheet12 pagesIl y a 1 an

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2024-09-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Descriptions

Descriptions de Sangdest Microelectronics S3M0016120B fournies par ses distributeurs.

Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 1200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

Alias du fabricant

Sangdest Microelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Sangdest Microelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • SANGDEST MICROELECTRONICS (NANJING) CO LTD
  • SMC(Sangdest Microelectronicstronic (Nanjing))
  • SANGDEST
  • Sangdest Microelectronic (Nanjing) Co Ltd
  • SMC-Diodess
  • SANGDEST MICROELECTRONICS CO LTD
  • SANGDEST MICROELECTRONIC
  • SMC-Diodes
  • Sangdest Microelectronics (Nanjing)