Samsung Electro-Mechanics K4B1G1646G-BCH9
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.32.00.32
Introduction Date2010-12-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 year ago)
LTB Date2016-05-31
LTD Date2016-11-30
Descriptions
Descriptions de Samsung Electro-Mechanics K4B1G1646G-BCH9 fournies par ses distributeurs.
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 64MX16 1.5V 96-Pin FBGA
DDR3 DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96
K4B1G1646G-BCH9 SAMSUNG BGA
Alias du fabricant
Samsung Electro-Mechanics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Samsung Electro-Mechanics peut également être connu sous les noms suivants :
- Samsung Electro-Mechanics America Inc
- SAMSUNG ELECTRO-MECH
- SAMSUNG EM
- SAMSUNG PASSIVE
- SAMSUNG ELECTRO
- SAMSUNGEM
- Samsung Electronics Co Ltd
- Samsung Electro-Mechanics America
- SAMSUNG ELECT
- SAMSUNG ELECTRONICS
- SAMSUNG ELECTRO-MECHANIC
- SEMCO - SAMSUNG ELECTRO MECHAN
- Samsung Electro-Mechanics GmbH
- SAMSUNG ELECTRO-MECHNICS
- SAMSUNG ELECTRONICS AMERICA
- SAMSUNG (Samsung Electro-
- SAMSUNG ELECTRONICS CO
- SAMSUNG ELECTRO-ME
- SAMSUNGEM (Other)
- Semco - Samsung Electro M
- Samsung Electronics Company Limited
- ELECTRO MECHANICS
- Samsung Electro-Mechanics Electro-Mechanics
- MURATA/SAMSUNG ELECTRO-ME
- SMSNG-ELEC
- Samsung Electro-Mechanics America-Inc
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageFBGA
MountSurface Mount
Number of Pins96
Number of Terminals96
Technical
Access Time255 ps
Address Bus Width16 b
Density1 Gb
Max Frequency667 MHz
Max Operating Temperature95 °C
Max Supply Current170 mA
Max Supply Voltage1.575 V
Memory Size128 MB
Memory TypeDDR3, SDRAM
Min Operating Temperature0 °C
Min Supply Voltage1.425 V
Nominal Supply Current120 mA
Operating Supply Voltage1.5 V
Dimensions
Height1.2 mm
Terminal Pitch800 µm
Fiches techniques et documents
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