Samsung IRF530
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Elcom Components | IRF530 | 267 | 12h | |||||||||
| Freelance Electronics | IRF530 | 104 | 18h | |||||||||
| Classic Components | IRF530 | 93 | 16h |
Modèles CAO
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1986-04-01
Descriptions
Descriptions de Samsung IRF530 fournies par ses distributeurs.
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias du fabricant
Samsung possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Samsung peut également être connu sous les noms suivants :
- SAM
- SEC
- Samsung Semiconductor Inc
- Samsung Semiconductor
- SAMSUN
- SAMSUNG ELECTRONICS
- SAMS
- SAMSUNG LED
- SAMSUMG
- SAMSU
- SUMSUNG
- SMG
- KOREA
- SAMAUNG
- SMS
- SAMSUNG SEMI
- SAMSUNG ELECTRONICS INC
- Samsung Electronics Co Ltd
- SAMSUNG SEMICONDUCTO
- SAMSUNG ELECTRO
- SAMUNG
- SANSUNG
- Samsung Electronics (SEC)
- SMM
- SLD
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Resistance160 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage100 V
Number of Elements1
Power Dissipation77 W
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