Samsung Electro-Mechanics CIG32W1R0MNE

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 60mOhm DCR 1210 T/R
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Win SourceWS-CIG32W1R0MNE2024
18h
Esaler ElectronicCIG32W1R0MNE119
2d
Worldway ElectronicsCIG32W1R0MNE48 4187Tape & Reel
1d
Freelance ElectronicsCIG32W1R0MNE100
1d
SuntronicCIG32W1R0MNE34 672
19h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet100 pagesIl y a 11 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8504.50.80.00
Introduction Date2012-08-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-11-30
LTD Date2021-06-30

Pièces détachées

AbraconASMPH-1008-1R0M-T
Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.6A 1008 T/R
Détails
BournsCVH252009-1R0M
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.6A 0.055Ohm DCR 1008 T/R
Détails
MurataLQM2HPN1R0MG0L
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.6A 0.069Ohm DCR 1008 T/R
Détails
TAIYO YUDENMBMK2520T1R0M
Inductor Power Chip Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 1.85A 0.072Ohm DCR 1008 T/R
Détails
TAIYO YUDENMDMK2020T1R0MM
LLDND2020MKT1R0MM,Inductor Power Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 1.9A 0.064Ohm DCR T/R
Détails
MurataLQM21PN1R0MGHL
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.7A 0.1Ohm DCR 0805 T/R
Détails
AbraconAIML-0805HC-1R0M-T
Inductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.4A 0.15Ohm DCR 0805 T/R
Détails
TDKMLZ2012N1R0L
Inductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 2MHz Ferrite 1.15A 78mOhm DCR 0805 T/R
Détails
TAIYO YUDENCB2518T1R0M
Inductor Power Chip Wirewound 1uH 20% 7.96MHz Ferrite 1.5A 0.078Ohm DCR 1007 T/R
Détails
TAIYO YUDENLB3218T1R0M
Inductor General Purpose Chip Wirewound 1uH 20% 7.96MHz Ferrite 1.075A 0.078Ohm DCR 1207 T/R
Détails
TDKMLZ2012N1R0LT000
Inductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 2MHz Ferrite 1.15A 0.078Ohm DCR 0805 T/R
Détails
TDKMLZ2012N1R0LTD25
Inductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 2MHz Ferrite 1.15A 0.078Ohm DCR 0805 Automotive T/R
Détails

Descriptions

Descriptions de Samsung Electro-Mechanics CIG32W1R0MNE fournies par ses distributeurs.

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 60mOhm DCR 1210 T/R
Verical
General Purpose Inductor, 1uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1210
IHS
FIXED IND 1UH 1.5A 60 MOHM SMD
DigiKey
1.5A 1uH 卤20% 60m惟 1210 Inductors (SMD) ROHS
Fmall Co., Limited

Alias du fabricant

Samsung Electro-Mechanics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Samsung Electro-Mechanics peut également être connu sous les noms suivants :

  • Samsung Electro-Mechanics America Inc
  • SAMSUNG ELECTRO-MECH
  • SAMSUNG EM
  • SAMSUNG PASSIVE
  • SAMSUNG ELECTRO
  • SAMSUNGEM
  • Samsung Electronics Co Ltd
  • Samsung Electro-Mechanics America
  • SAMSUNG ELECT
  • SAMSUNG ELECTRONICS
  • SAMSUNG ELECTRO-MECHANIC
  • SEMCO - SAMSUNG ELECTRO MECHAN
  • Samsung Electro-Mechanics GmbH
  • SAMSUNG ELECTRO-MECHNICS
  • SAMSUNG ELECTRONICS AMERICA
  • SAMSUNG (Samsung Electro-
  • SAMSUNG ELECTRONICS CO
  • SAMSUNG ELECTRO-ME
  • SAMSUNGEM (Other)
  • Semco - Samsung Electro M
  • Samsung Electronics Company Limited
  • ELECTRO MECHANICS
  • Samsung Electro-Mechanics Electro-Mechanics
  • MURATA/SAMSUNG ELECTRO-ME
  • SMSNG-ELEC
  • Samsung Electro-Mechanics America-Inc