ROHM UMH3NTN
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Stock
1,457,567
149,670
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-363
-
Polarity
NPN
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
hFE Min
100
100
Power Dissipation
150 mW
-
Pièces détachées
Diodes Inc.DCX114EU-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
Diodes Inc.DDC114YU-7-F
DDC114YU Series NPN/PNP 50 V 100 mA Dual Transistor Surface Mount - SOT-363-6
Diodes Inc.DCX114YU-7-F
Bipolar Transistors (BJT); DCX114YU-7-F; DIODES; NPN, PNP; 6; 50 V; 100 mA
Descriptions
Descriptions de ROHM UMH3NTN fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
UMH3N Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN Digital Transistor - SC-88
100@1mA,5V 2 NPN - Pre-Biased 150mW 100mA 50V SOT-323-6 Digital Transistors ROHS
TRANSISTOR DUAL UM6 NPN/NPN; Digital Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2:-; Resistor Ratio
Alias du fabricant
ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Operating Supply Voltage50 V
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant