ROHM SCT3030ALGC11
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTWA88N65M5
N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
onsemiFCH041N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mΩ, TO-247
onsemiFCH041N65EF-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 71 mΩ, TO-247
STMicroelectronicsSTW65N65DM2AG
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V,42 mOhm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Descriptions
Descriptions de ROHM SCT3030ALGC11 fournies par ses distributeurs.
SCT3030AL Series 650 V 70 A 39 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 650V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 70A, TO-247N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 70A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 18V; Threshold Voltage Vgs: 5.6V; Po
Mosfet, N-Ch, 650V, 70A, To-247N-3; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:262W Rohs Compliant: Yes |Rohm SCT3030ALGC11
Alias du fabricant
ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance39 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance1.526 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Power Dissipation262 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation262 W
Rds On Max39 mΩ
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height25.5 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant