ROHM RUM001L02T2CL
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Pièces détachées
onsemiNTK3142PT1G
Small Signal MOSFET 20V 280mA 3.4 Ohm Single P-Channel SOT-723 with ESD Protection
onsemiNTK3142PT5G
Small Signal MOSFET 20V 280mA 3.4 Ohm Single P-Channel SOT-723 with ESD Protection
Descriptions
Descriptions de ROHM RUM001L02T2CL fournies par ses distributeurs.
RUM001L02 Series 20 V 3.5 Ohm 100 mA N-Ch. Small Signal Mosfet - SOT-723 (VMT3)
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin VMT T/R
20V 100mA 150mW 3.5Ω@4.5V,100mA 1V@100uA N Channel SOT-723 MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IC BUFF/DVR TRI-ST 16BIT 48TSSOP
MOSFET, N-CH, 20V, 0.1A, VMT; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:100mA; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-723
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance4.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance7.1 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation150 mW
Rds On Max3.5 Ω
Rise Time4 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height550 µm
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