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Pièces de rechange

Ce composant

Pièces de rechange

ROHMRS1E200BNTB

onsemiFDMS7678

Price @ 1000

$ 0.516

$ 0.458

Stock

1,769,434

584,272

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

Drain to Source Voltage (Vds)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

20 A

17.5 A

Threshold Voltage

1.5 V

Rds On Max

3.9 mΩ

5.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2.3 W

Input Capacitance

3.1 nF

2.41 nF

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRF8734TRPBF

Single N-Channel 30 V 3.5 mOhm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Détails

InfineonIRF8734PBF

N-Ch MOSFET 20V 30V 3.5mΩ@21A,10V 21A 30nC@4.5V 3.175nF@15V SOIC-8 SMD 1.5mm H

Détails

onsemiNTTFS4824NTAG

N-Channel 30 V 69 A 5 mO Surface Mount Power Mosfet - WDFN-8

Détails

InfineonIRF7862TRPBF

Single N-Channel 30 V 4.5 mOhm 45 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Détails

onsemiFDMS7670

N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 3.8mΩ

Détails

onsemiFDMC0310AS

N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 30V, 21A, 4.4mΩ

Détails

Descriptions

Descriptions de ROHM RS1E200BNTB fournies par ses distributeurs.

MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes

Newark

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin HSOP EP T/R

Verical

3W(Ta) 25W(Tc) 20V 2.5V@1mA 59nC@10V N-Ch MOSFET 30V 3.9mΩ@20A,10V 20A 3.1nF@15V HSOP-8 SMD 1.05mm H

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 20A, HSOP-8;

element14 APAC

30V, 68A, 3.8MOHM, N-CHANNEL, HSOP8

Future Electronics

MOSFET, N-CH, 30V, 20A, HSOP-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Pow

Farnell

Alias du fabricant

ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :