ROHM RS1E200BNTB

Name: ROHM RS1E200BNTB
Brand: ROHM
SKU: RS1E200BNTB

MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes

$ 0.503

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

Distributeurs agréés

Distributeurs de solutions de stockage non agréés

Revendeurs non agréés

Voir tous les prix

Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff	2	ST47843124	2 500	1		0,470	0,470	0,351	0,295	0,290	22h
Verical	4	RS1E200BNTB	2 500	162					0,568	0,519
Arrow Electronics		RS1E200BNTB	2 370	1		0,224	0,224	0,224	0,224	0,224
Newark		RS1E200BNTB	0	1		0,661	0,622	0,575	0,526	0,499
Future Electronics		RS1E200BNTB	0	2500	Tape & Reel					0,310

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois : +0.00%

Modèles CAO

Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP

Pièces de rechange

1 composant disponible

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour ROHM RS1E200BNTB.

IHS

Datasheet13 pagesIl y a 6 ans

element14 APAC

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:

+0.00%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles ROHM RS1E200BNTB, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCE	ECAD	MCAD	FICHIERS
Component Search Engine	SymboleEmpreinte	3D	Télécharger
EE Concierge	SymboleEmpreinte
SnapEDA	Empreinte		Télécharger
Ultra Librarian	SymboleEmpreinte		Télécharger

Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.

En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Pièces de rechange

Ce composant

Pièces de rechange

ROHMRS1E200BNTB

onsemiFDMS7678

Price @ 1000

$ 0.503

$ 0.416

Stock

1,785,310

649,486

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

20 A

17.5 A

Threshold Voltage

1.5 V

Rds On Max

3.9 mΩ

5.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2.3 W

Input Capacitance

3.1 nF

2.41 nF

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRF8734TRPBF

Single N-Channel 30 V 3.5 mOhm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Détails

InfineonIRF8734PBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

Détails

onsemiNTTFS4824NTAG

N-Channel 30 V 69 A 5 mO Surface Mount Power Mosfet - WDFN-8

Détails

InfineonIRF7862TRPBF

Single N-Channel 30 V 4.5 mOhm 45 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Détails

onsemiFDMS7670

N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 3.8mΩ

Détails

onsemiFDMC0310AS

N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 30V, 21A, 4.4mΩ

Détails

Descriptions

Descriptions de ROHM RS1E200BNTB fournies par ses distributeurs.

MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes

Newark

3W(Ta),25W(Tc) 20V 2.5V@1mA 59nC@ 10 V 1N 30V 3.9m¦¸@ 20A,10V 20A 3.1nF@15V HSOP-8 1.05mm

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin HSOP EP T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 20A, HSOP-8;

element14 APAC

30V, 68A, 3.8MOHM, N-CHANNEL, HSOP8

Future Electronics

MOSFET, N-CH, 30V, 20A, HSOP-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Pow

Farnell

Alias du fabricant

ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :