ROHM EM6K6T2R
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginSouth Korea, Thailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMP21D2UFA-7B
Single P-Channel 20 V 3 Ohm 0.8 nC 360 mW Silicon SMT Mosfet - XFDFN-3
Diodes Inc.DMN2990UFZ-7B
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.25A, X2-Dfn0606 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2990UFZ-7B
onsemiMMBF2201NT1
Cut Tape (CT) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 300mA Ta 300mA 150mW 2.5ns
Descriptions
Descriptions de ROHM EM6K6T2R fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 300mA 6-Pin SOT-563 Emboss T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel 20 V 300 mA 1 Ohm 150 mW Surface Small Signal MOSFET - SOT-563
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
20V 300mA 800mΩ@2.5V,300mA 150mW 1V@1mA 10pF@10V 2 N-Channel 25pF@10V +150℃@(Tj) SOT-563 MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
TRANS MOSFET DUAL N-CH 20V 0.3A SOT-563
ROHM NMOS EM6K6, Vds=20 V, 300 mA, SOT-563, , 6
N+N CHAN.-FET+ESD 0,3A 20V EMT6
MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 0.3A, SOT-563; Channel Type:Dual N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:20V; Drain Source Voltage Vds P Channel:-; Continuous Drain Current Id N Channel:300mA; Continuous Drain Current Id P Channel:- RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance25 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 mW
Rds On Max1 Ω
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time5 ns
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant