Renesas HFA3096BZ

HFA3096BZ Pent NPN+PNP RF Bipolar Transistor, 0.065 A, 8 V, 16-Pin SOIC
$ 6.23
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Documents

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Integrated Device Technology

Datasheet16 pagesIl y a 26 ans
Datasheet16 pagesIl y a 26 ans

IHS

element14 APAC

Upverter

Factory Futures

Modèles CAO

Informations sur le modèle
Fournisseur :Renesas
Date de publicationAug 14, 2025
Conforme à la norme IPCIPC-7351B
Révision du guide de styleVersion 1.0 - Nov 1, 2024
Source de la fiche techniqueVersion 16.00 - Jan 24, 2019
Vérification

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-68.60%

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia, Philippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8540000000
Introduction Date2018-02-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 months ago)

Pièces détachées

onsemiMC1413DG
MC Series 500 mA 50 V NPN High Current Darlington Transistor Array - SOIC-16
onsemiMC1413BDG
MC Series 500 mA 50 V NPN High Current Darlington Transistor Array - SOIC-16
Bipolar Transistors (BJT); MC1413BDR2G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 16; 50 V; 500 mA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 1250mW 16-Pin SOL
onsemiMMPQ2907
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon

Descriptions

Descriptions de Renesas HFA3096BZ fournies par ses distributeurs.

HFA3096BZ Pent NPN+PNP RF Bipolar Transistor, 0.065 A, 8 V, 16-Pin SOIC
Trans GP BJT NPN/PNP 8V 0.065A 150mW 16-Pin SOIC N Tube
HFA3096 Series 3 NPN/2PNP 150 mW 65 mA UHF Transistor Array - SOIC-16
Renesas Electronics NPN/PNP, SOIC, , 65 mA, -8 V
PB-FREE W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16NSOIC MIL<AZ
Bulk Surface Mount SEPARATE 5ELEMENTS 16 RF Transistor 65mA 150mW 5.5GHz 12V
IC TRANSISTOR ARRAY, ULTRA H FREQ; Module Configuration:Five; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:8V; Transition Frequency Typ ft:8GHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:37mA; DC Current Gain hFE:130; Operating Temperature Range:-55°C to +125°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:3096; Digital IC Case Style:SOIC; Gain Bandwidth ft Typ:8GHz; Operating Temperature Max:125°C; Operating Temperature Min:-55°C; Package / Case:SOIC; Termination Type:SMD
Transistor Polarity:npn, Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:8V; Dc Collector Current:37Ma; Power Dissipation Pd:150Mw; Dc Current Gain Hfe:130Hfe; No. Of Pins:16Pins; Transistor Mounting:surface Mount; Product Range:- Rohs Compliant: Yes

Alias du fabricant

Renesas possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Renesas peut également être connu sous les noms suivants :

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • HFA3096BZ.