Renesas 71V416L12PHGI

Name: Renesas 71V416L12PHGI
Brand: Renesas
SKU: 71V416L12PHGI

3.3V 256K x 16 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout

$ 8.295

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

Distributeurs agréés

Distributeurs de solutions de stockage non agréés

Revendeurs non agréés

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Future Electronics	71V416L12PHGI	0	135	Tray				6,940	6,940
Avnet	71V416L12PHGI	0	135					6,732	6,662	3d
Farnell	71V416L12PHGI	0	1		12,248*	11,383*	10,599*	10,382*	10,382*	7h
Mouser	972-71V416L12PHGI	20	1	Tray	11,970	11,350	10,160	9,650	9,650
Component Stockers USA	71V416L12PHGI	186			9,410	8,720	7,460	7,460	7,460	7d

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Renesas

Datasheet10 pagesIl y a 4 ans

IHS

ODG (Origin Data Global)

SHENGYU ELECTRONICS

_legacy Avnet

Modèles CAO

Table des broches

Numéro

Catégorie

Afficher le nom et les fonctions

Informations sur le modèle

Fournisseur :	Renesas
Date de publication	Sep 26, 2025
Conforme à la norme IPC	IPC-7351B
Révision du guide de style	Version 1.0 - Nov 1, 2024
Source de la fiche technique	Version - May 26, 2021

Vérification

Sur la base du guide de style et de la fiche technique de cette pièce, trois experts indépendants en ingénierie électronique ont créé :

3 versions du symbole et empreinte en 2D
1 version du modèle 3D STEP (format STEP AP-214)
Configuration d'une palette de couleurs pour un fabricant

Tous les fichiers de bibliothèque créés sont indépendants de la cartographie des couches et peuvent être facilement cartographiés selon votre conception.

Les symboles et les empreintes créés sont ensuite comparés à l'aide des critères suivants :

Symbole

Contrôles automatisés

Numéro de pièce
Paramètres clés
Code du package
Noms/numéros des broches
Types de broches

Vérifications manuelles

Organisation des broches selon le guide de style

Empreinte

Contrôles automatisés

Norme IPC
Dégagement de la sérigraphie
Excédents de Courtyard
Contour du package
Marquage de polarité
Vérification des dimensions et de la position des pastilles.

Modèle 3D STEP

Vérifications manuelles

Vérification des dimensions
Conformité de la palette de couleurs
Conformité du format
Cartographie de l'orientation par rapport à une empreinte en 2D
Vérification de la position par rapport à une empreinte en 2D

Un processus de vérification final est effectué :

Si les symboles et les empreintes correspondent : la pièce est vérifiée comme étant prête pour l'ECAD.

Si les symboles et les empreintes ne correspondent pas : un ingénieur électronique expérimenté examinera toutes les différences pour s'assurer que la pièce répond aux exigences du guide de style et de la fiche technique.

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginTaiwan

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8540000000

Introduction Date1998-03-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 months ago)

Pièces détachées

Renesas71V416S12PHG

IDT71V416S Series 4Mb (256K x 16) 3.3 V 12 ns CMOS Static RAM - TSOP-II-44

Détails

Renesas71V416S12PHG8

71V416 Series 4 Mb (256 K x 16) 3.3 V 12 ns Static RAM - TSOP-44

Détails

Renesas71V416S12PHGI

IDT71V416S Series 4 Mb (256K x 16) 3.6 V 12 ns SMT CMOS Static RAM - TSOP-II-44

Détails

Alliance MemoryAS7C34098A-12TIN

AS7C34098A Series 4-Mbit (256 K x 16) 3.3 V 12 ns CMOS Static RAM - TSOP 11-44

Détails

Alliance MemoryAS7C34096A-12TIN

AS7C34096A Series 4 Mbit (512 K x 8) 3.3 V 12 ns CMOS Static RAM - TSOP 11-44

Détails

Alliance MemoryAS7C34098A-10TCN

AS7C34098A Series 4-Mbit (256 K x 16) 3.3 V 10 ns CMOS Static RAM - TSOP 11-44

Détails

Descriptions

Descriptions de Renesas 71V416L12PHGI fournies par ses distributeurs.

3.3V 256K x 16 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout

Renesas

IDT71V416 Series 4 Mb 256K x 16 3.3 V 12ns SMT CMOS Static RAM - TSOP-44

Future Electronics

SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II Tube

Verical

Asynchronous Active GULL WING 3-STATE (Memory Format) Memory 85C 3.6V 4Mb 170mA

Fly-Wing Technology

Renesas Electronics SRAM, 4Mbit, 44, , 16Bit, TSOP-44

UnikeyIC

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

Easev

Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44

IHS

SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM

Bettlink

71V416 4Mb Asynchronous 256K x 16 SRAM

RS APAC

å˜å‚¨å™¨, SRAM, 4MB, -40 è‡³ 85åº¦ C;

element14 APAC

Images

Renesas

Newark

Future Electronics

Alias du fabricant

Renesas possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Renesas peut également être connu sous les noms suivants :

Renesas Electronics
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
RENESA
REN
RENES
RENESAS TECHNOLOGY CORP
RENESAS TECHNOLOGY
Renesas Electronics Corporation
RENESAS ELECTRONICS CORP
RENSAS
RENASAS
Renesas / Intersil
RNS
RENESAS-PB
RENESASTEC
RENESES
Renesas Technology America
Renesas Design Germany GmbH
Renesas / IDT
RENESASE
RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
Renesas Electronics Operations Services Limited
RENEASAS
RENESAS/M

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Pièces de rechange

0 composant disponible

Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTSOP

MSL3

MountSurface Mount

Number of Pins44

Number of Terminals44

Technical

Access Time12 ns

Address Bus Width18 b

Density4 Mb

Part Family71V416

InterfaceParallel

Max Operating Temperature85 °C

Max Supply Current180 mA

Max Supply Voltage3.6 V

Memory Size512 kB

Memory TypeRAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Min Operating Temperature-40 °C

Min Supply Voltage3 V

Nominal Supply Current170 mA

Number of Circuits1

Number of Ports1

Number of Words256000

Operating Supply Voltage3.3 V

Package Quantity0

Sync/AsyncAsynchronous

Temperature GradeIndustrial

Word Size16 b

Dimensions

Height1 mm

Height - Seated (Max)1.2 mm

Length18.41 mm

Pitch800 µm

Terminal Pitch800 µm

Thickness1 mm

Width10.16 mm

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Fiche technique officielleIl y a 4 ans

Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Reach Statement2 pagesIl y a 12 ans

Conflict Mineral Statement2 pagesIl y a 12 ans