Optek OPB870T51
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Stock
3,530
1,762
Authorized Distributors
6
3
Sensing Method
-
-
Sensing Distance
3.175 mm
3.175 mm
Termination
-
-
Max Supply Voltage
-
-
Min Supply Voltage
-
-
Response Time
-
15 µs
Min Operating Temperature
-40 °C
-40 °C
Max Operating Temperature
85 °C
85 °C
Output Configuration
Phototransistor
-
Mount
Screw, Through Hole
Screw, Through Hole
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Optek OPB870T51 fournies par ses distributeurs.
890nm Through-Beam 3.18mm 5¦Ìs Phototransistor PCB, 24.61mm*6.35mm*10.8mm
OPTOSWITCH; Sensor Output Type: Phototransistor; Sensor Mounting: Panel Mount; Gap Width: 3.175mm; Aperture Width: 1.27mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 2V; Forward Voltage: 1.3V; Product Ran 08F2708
Photo Interrupter, Through Beam, 3.175Mm; Sensing Method:Through Beam; Sensing Distance/Slot Width:3.175Mm; Supply Voltage Min:-; Supply Voltage Max:-; Sensor Case/Package:Module; Collector Emitter Voltage Max:30V; Ip Rating:- Rohs Compliant: Yes |Tt Electronics/optek Technology OPB870T51
Alias du fabricant
Optek possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Optek peut également être connu sous les noms suivants :
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
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Spécifications techniques
Physical
MountScrew, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.3 V
Input Current20 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Sensing Distance3.175 mm
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength890 nm
Dimensions
Height10.8 mm
Length24.61 mm
Width6.35 mm