Optek OPB830W11Z
$ 5.87
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | OPB830W11Z | 153 | 1 | Bulk | 11h | |||||||
| Master Electronics | OPB830W11Z | 867 | 200 | |||||||||
| Verical | OPB830W11Z | 800 | 200 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | OPB830W11Z | 867 | 200 | Bulk | ||||||||
| DigiKey | 365-1727-ND | 1 354 | 1 | Bulk |
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Modèles CAO
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Optek OPB830W11Z fournies par ses distributeurs.
OPB830 Series 30 V 880 nm 50 mA Phototransistor Slotted Optical Switch
PHOTO INTERRUPTER, THROUGH BEAM, 3.18MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Panel / Chassis; Gap Width: 3.18mm; Aperture Width: 0.25mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 2V; Forward Voltage: 1.7V; Prod
Optoswitch, Phototransistor; Sensor Output:Fototransistor; Corriente Directa If:50Ma; Tensión Directa:1.7V; Tensión Inversa Vr:2V; Anchura De Apertura:0.25Mm; Anchura Del Espacio/Hueco:3.18Mm; Sensor, Montaje:Panel/Chassis |Tt Electronics / Optek Technology OPB830W11Z
Alias du fabricant
Optek possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Optek peut également être connu sous les noms suivants :
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
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Spécifications techniques
Physical
MaterialPlastic
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage30 V
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.175 mm
Wavelength880 nm
Dimensions
Height10.54 mm
Length23.75 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant