onsemi TIP29C
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$ 0.46
$ 0.693
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Stock
266,840
234,159
234,159
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
2 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
15
15
15
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi TIP29C fournies par ses distributeurs.
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 15 @ 1A 4V 1A 2W 3MHz
NPN Transistor, 0.7V @IC=1A IB=125mA 30W 5V 300μA 100V 100V 1A TO-220 TH 9.4mm H
1.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
Transistor TIP29C TO-220 NPN Epitax 100 Volt 1 Amp
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power
NPN POWER TRANSISTOR 100V/1A TO-220
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-220AB-3
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:30W; DC Current Gain Min (hfe):15; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:1A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-220AB-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 30W; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 15hFE; Tran
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité