onsemi TIP117G

Name: onsemi TIP117G
Brand: onsemi
SKU: TIP117G

Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor PNP , 2.0 A, 100 V

$ 0.287

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

Distributeurs agréés

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		TIP117G	2 060	50				0,279	0,267	0,267	2d
Newark	2	TIP117G	1 887	1		1,290	0,939	0,592	0,448	0,367
Verical		TIP117G	200	200					0,486	0,486
Future Electronics		TIP117G	4 490	75	Tube			0,280	0,270	0,255
Master Electronics		TIP117G	200	100				0,302	0,276	0,255

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Newark

Datasheet8 pagesIl y a 11 ans

IHS

onsemi

element14 APAC

Master Electronics

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Ce composant

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onsemiTIP117G

onsemiTIP117TU

Price @ 1000

$ 0.287

$ 0.322

Stock

302,092

194,723

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220-3

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

100 V

Max Collector Current

2 A

Transition Frequency

25 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

2.5 V

hFE Min

500

Power Dissipation

2 W

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1995-07-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiTIP117TU

TIP117 Series 100 V 2 A PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor - TO-220-3

Détails

onsemiTIP116

Tube Through Hole PNP - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 1A 4V 2A 2W 80V

Détails

onsemiTIP116G

Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor PNP , 2.0 A, 80 V

Détails

onsemiKSB601YTU

Tube Through Hole PNP - Darlington KSB601 Bipolar (BJT) Transistor 5000 @ 3A 2V 5A 1.5W 100V

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi TIP117G fournies par ses distributeurs.

Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor PNP , 2.0 A, 100 V

onsemi

TIP Series 100 V 2 A PNP Medium Power Darlington Silicon Transistor TO-220AB

Future Electronics

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Semicontronic

Darlington Transistor, PNP, 100 V, 50 W, 2 A, TO-220, 3 Pins

Avnet

TRANSISTOR, DARLINGTON, SI, PNP, MEDIUM POWER, SWITCH, VO 100VDC, VI 5VDC, IO 2ADC

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans Darlington PNP 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

TRANSISTOR, BIPOL, PNP, 100V; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 50W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 500hFE; Transistor Case St

Farnell

Transistor Polarity:NPN; No. of Pins:3Pins; Transistor Mounting:Through Hole; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Qualification:AEC-Q101; Collector Emitter Voltage Max:100V; Continuous Collector Current:2A RoHS Compliant: Yes

Newark

Images

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

TIP117G.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-220-3

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight4.535924 g

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)100 V

Collector Emitter Breakdown Voltage100 V

Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V

Continuous Collector Current2 A

Current Rating-2 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

hFE Min500

Max Collector Current2 A

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation50 W

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PolarityPNP

Power Dissipation2 W

Schedule B8541290080

Transition Frequency25 MHz

Voltage Rating (DC)-100 V

Dimensions

Height15.748 mm

Length10.2616 mm

Width4.826 mm

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IHS

onsemi

element14 APAC

Master Electronics

Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement1 pageIl y a 13 ans

Materials SheetN/AN/A

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs StatementN/AN/A