onsemi TIP112G

Name: onsemi TIP112G
Brand: onsemi
SKU: TIP112G

Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor NPN , 2.0 A, 100 V

$ 0.433

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

Distributeurs agréés

Distributeurs de solutions de stockage non agréés

Revendeurs non agréés

Voir tous les prix

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	TIP112G	390	50				0,407	0,389	0,389	5h
Verical	3	TIP112G	1 600	50				0,639	0,455	0,375
Arrow Electronics	2	TIP112G	297	1		0,270	0,270	0,270	0,270	0,270
Master Electronics		TIP112G	1 900	50				0,426	0,388	0,357
Onlinecomponents.com		TIP112G	1 900	50	Bulk			0,426	0,388	0,357

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois : +9.68%

Modèles CAO

Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP

Pièces de rechange

1 composant disponible

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi TIP112G.

IHS

Datasheet8 pagesIl y a 11 ans

Newark

onsemi

Farnell

Verical

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:

+9.68%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles onsemi TIP112G, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCE	ECAD	MCAD	FICHIERS
Component Search Engine	SymboleEmpreinte	3D	Télécharger
EE Concierge	SymboleEmpreinte
SnapEDA	Empreinte		Télécharger
TraceParts		3D	Télécharger
Ultra Librarian	SymboleEmpreinte		Télécharger

Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.

En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Pièces de rechange

Ce composant

Pièces de rechange

onsemiTIP112G

STMicroelectronicsTIP112

Price @ 1000

$ 0.433

$ 0.343

Stock

248,034

260,144

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

100 V

Max Collector Current

2 A

Transition Frequency

25 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

2.5 V

hFE Min

500

Power Dissipation

50 W

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1995-07-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiMJF122G

5.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Détails

onsemiTIP102G

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Détails

onsemiTIP122G

Bipolar junction transistor, NPN, 5 A, 100 ## Fehler ##, THT, TO-220, TIP122G

Détails

NXP SemiconductorsBUJ403A,127

Trans GP BJT NPN 550V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi TIP112G fournies par ses distributeurs.

Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor NPN , 2.0 A, 100 V

onsemi

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Semicontronic

ON SEMI TIP112G NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 2 A 100 V HFE:500, 3-PIN TO-220

RS (Formerly Allied Electronics)

2.5V@ 8mA,2A NPN - Darlington 2W 5V 2mA 100V 100V 2A TO-220 10.53mm*4.83mm*15.75mm

UnikeyIC

TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, TO-220AB

element14 APAC

Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; No. of Pins:3Pins; Transistor Mounting:Through Hole; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Qualification:-; Collector Emitter Voltage Max:100V RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, TO-220AB; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 50W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 500hFE; Transistor

Farnell

Images

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

TIP112G.

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois : +9.68%

Modèles CAO

Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP

Pièces de rechange

1 composant disponible

Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-220-3

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight4.535924 g

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)100 V

Collector Emitter Breakdown Voltage100 V

Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V

Continuous Collector Current2 A

Current Rating2 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

hFE Min500

Max Collector Current2 A

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation50 W

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PolarityNPN

Schedule B8541290080

Transition Frequency25 MHz

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height15.75 mm

Length10.28 mm

Width4.82 mm

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi TIP112G.

IHS

Datasheet8 pagesIl y a 11 ans

Newark

onsemi

Farnell

Verical

Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement1 pageIl y a 13 ans

Materials SheetN/AN/A

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs StatementN/AN/A