onsemi TIP102
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Ce composant
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Price @ 1000
$ 0.37
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Stock
429,898
308,654
308,654
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220
TO-220
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
4 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
2 W
80 W
80 W
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-06-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi TIP102 fournies par ses distributeurs.
Tube Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 3A 4V 8A 2W 100V
8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Bipolar junction transistor, NPN, 8 A, 100 V, THT, TO-220, TIP102
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington NPN 100V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
DARLINGTON Transistor, NPN, 100V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V;
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:80W; DC Current Gain Min (hfe):200; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:8A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min200
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.28 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité