onsemi STD5407NT4G
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-10-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-01-24
LTD Date2020-07-24
Pièces détachées
onsemiNTD5407NT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.6A Ta 38A Tc 38A 75W 51ns
onsemiNVD5806NT4G
Power MOSFET 40V, 33A, 19 mOhm, Single N-Channel, DPAK. Power MOSFET 40V 33A 19 mOhm Single N-Channel DPAK
STMicroelectronicsSTD26P3LLH6
P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 12 A, STripFET(TM) VI DeepGATE Power MOSFET in a DPAK package
Descriptions
Descriptions de onsemi STD5407NT4G fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET 40V, 38A, 26 mOhm, Single N-Channel, DPAK. Power MOSFET 40V, 38A, 26 mOhm, Single N-Channel, DPAK.
Trans MOSFET N-CH 40V 7.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power MOSFET | MOSFET N-CH 40V 7.6A DPAK
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 40V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
STD5407 - POWER MOSFET 40V, 38A,
2.9W(Ta)，75W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 20nC@ 10 V 1individualNChannel 40V 26mΩ@ 20A,10V 7.6A，38A 1nF@32V TO-252-3 SMD mount 2.38mm(height)
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.9 W
Rds On Max26 mΩ
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité